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2SC5945	文件：274.19 Kbytes Page：36 Pages	Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier 文件：274.19 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5945TR-E	文件：274.19 Kbytes Page：36 Pages	Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier 文件：274.19 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5964	文件：473.05 Kbytes Page：8 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：473.05 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5975	文件：238.3 Kbytes Page：18 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR 文件：238.3 Kbytes 页数：18 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5998	文件：104.95 Kbytes Page：11 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier 文件：104.95 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5998YC	文件：104.95 Kbytes Page：11 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier 文件：104.95 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5901	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Device - Power Transistors - Television/Display	Panasonic 松下	Panasonic
2SC5902	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN triple diffusion mesa type	Panasonic 松下	Panasonic
2SC5904	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN triple diffusion mesa type	Panasonic 松下	Panasonic
2SC5916TLR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 2A TSMT3	ROHM 罗姆	ROHM

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产品属性

产品编号：
2SC5964-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
290mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
380MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 50V 3A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5964-TD-E	ON/安森美	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
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