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2SC5754-T2	文件：89.38 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealfor460MHzto2.4GHzmediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=26.0dBmTYP.@VCE=3.6V,f=1.8GHz,Pin=15dBm •Highcollectorefficiency:η	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC5754-T2	文件：222.03 Kbytes Page：15 Pages	Marking：R57；NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealfor460MHzto2.4GHzmediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=26.0dBmTYP.@VCE=3.6V,f=1.8GHz,Pin=15dBm •Highcollectorefficiency:	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5754-T2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F	CEL California Eastern Labs	CEL

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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealfor460MHzto2.4GHzmediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=26.0dBmTYP.@VCE=3.6V,f=1.8GHz,Pin=15dBm •Highcollectorefficiency:η

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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文件：222.03 Kbytes

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Marking：R57；NPN SILICON RF TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

CEL

California Eastern Labs

CEL

详细参数

型号：
2SC5754-T2
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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