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2SC5754-T2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F	CEL California Eastern Laboratories	CEL
2SC5754-T2	文件：89.38 Kbytes Page：13 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W)FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealfor460MHzto2.4GHzmediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=26.0dBmTYP.@VCE=3.6V,f=1.8GHz,Pin=15dBm •Highcollectorefficiency:η	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5754-T2	文件：222.03 Kbytes Page：15 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealfor460MHzto2.4GHzmediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=26.0dBmTYP.@VCE=3.6V,f=1.8GHz,Pin=15dBm •Highcollectorefficiency:	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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2SC5754-T2-A

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包装：托盘封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

2SC5754-T2

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NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W)FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04)

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(0.4W) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealfor460MHzto2.4GHzmediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=26.0dBmTYP.@VCE=3.6V,f=1.8GHz,Pin=15dBm •Highcollectorefficiency:η

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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产品属性

产品编号：
2SC5754-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
20GHz
增益：
6.5dB
功率 - 最大值：
735mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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