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2SC5754-T2-A

Package:SOT-343F;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

CEL

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2SC5754-T2

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification • PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm • High collector efficiency:

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2SC5754-T2

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification • PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm • High collector efficiency: η

文件:89.38 Kbytes 页数:13 Pages

NEC

瑞萨

2SC5754-T2-A

RENESAS
SOT343

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SC5826

Rohm
TO-92

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5754-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    20GHz

  • 增益:

    6.5dB

  • 功率 - 最大值:

    735mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 100mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    500mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SC5754-T2-A供应商 更新时间2025-10-11 10:16:00