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2SC5761-T2	文件：81.5 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE&HIGH-GAINAMPLIFICATIONFLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE⋅HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealforlownoise⋅high-gainamplification NF=0.9dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.0dBTYP.@VCE=2V,IC=20mA	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5761-T2	文件：305.1 Kbytes Page：16 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE⋅HIGH-GAINAMPLIFICATION FEATURES •Idealforlownoise⋅high-gainamplification NF=0.9dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.0dBTYP.@VCE=2V,IC=20mA,f=2GHz •SiGetechnology(fT=60GHz,fmax=60GHz) •Flat-lead4-pinthin-typesuperminimold(M04)packag	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE&HIGH-GAINAMPLIFICATIONFLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04)

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE⋅HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealforlownoise⋅high-gainamplification NF=0.9dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.0dBTYP.@VCE=2V,IC=20mA

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NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE⋅HIGH-GAINAMPLIFICATION

FEATURES •Idealforlownoise⋅high-gainamplification NF=0.9dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.0dBTYP.@VCE=2V,IC=20mA,f=2GHz •SiGetechnology(fT=60GHz,fmax=60GHz) •Flat-lead4-pinthin-typesuperminimold(M04)packag

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详细参数

型号：
2SC5761-T2-A
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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