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2SC5761-T2中文资料PDF规格书

2SC5761-T2
厂商型号

2SC5761-T2

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION

文件大小

305.1 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 18:24:00

2SC5761-T2规格书详情

FEATURES

• Ideal for low noise ⋅ high-gain amplification

NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

• SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

产品属性

  • 型号:

    2SC5761-T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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