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2SC5820	文件：147.22 Kbytes Page：11 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator Application • High gain bandwidth product fT = 20 GHz typ. • High power gain and low noise figure; PG = 17.5 dB typ., NF = 1.15 dB typ. at f = 1.8 GHz 文件：147.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5823	文件：39.72 Kbytes Page：4 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage. • High-speed switching. • Wide ASO. • Adoption of MBIT process. 文件：39.72 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5823	文件：295.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5823	文件：276.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5823-251	文件：295.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5823-252	文件：276.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5826	文件：271.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5826-251	文件：271.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5827	文件：92.21 Kbytes Page：10 Pages	Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier Features • Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm) 文件：92.21 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC5828	文件：99.79 Kbytes Page：10 Pages	Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF Wide band amplifier Features • Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm) 文件：99.79 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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