| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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21年
留言
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SANYOTO220F |
6500 |
25+ |
专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送 |
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13年
留言
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ROHMSMD |
20000 |
25+ |
专做罗姆,一系列可以订货排单,只做原装正品假一罚十 |
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13年
留言
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ROHMNA |
12000 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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16年
留言
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T/NECCAN |
50000 |
2023+ |
全新原装现货 |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝CAN3 |
5600 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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17年
留言
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TO-3 |
10000 |
24+ |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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10年
留言
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TOSHIBACAN3 |
5600 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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ROHM/罗姆251-252 |
688888 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝TO252 |
9800 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝TO252 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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4年
留言
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ADI/亚德诺原封装 |
66900 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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SANYOTO-220F |
768 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT252 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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onsemi(安森美)- |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-220ML |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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ROHMTO-252 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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2年
留言
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TOSHIBATO-252 |
18000 |
26+ |
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4年
留言
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TOSHIBATO-252 |
8000 |
24+ |
新到现货,只做全新原装正品 |
2SC588采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SC588图片
2SC5886中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC5880TV2Q功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5880TV2R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5881TLQ功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5881TLR功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5886A(T6L1,NQ)功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888-1EX制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
通用型 (Uni)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
200MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,BFX96,BFX97,BSW51,BSW52,2N2218,2N2219,3DG130C,
- 最大耗散功率:
0.6W
- 放大倍数:
- 图片代号:
C-40
- vtest:
30
- htest:
200000000
- atest:
0.1
- wtest:
0.6



























