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2SC5703	文件：166.84 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) • High-speed switching: tf = 55 ns (typ.) 文件：166.84 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5703	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：WA；Package：TSM；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5703	文件：165.08 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications •High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) • High-speed switching: tf = 55 ns (typ.) 文件：165.08 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5703	文件：137.97 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications 文件：137.97 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5703	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Feature：Low saturation voltage\nApplication Scope：Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 1.25 W \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5703_V01	文件：165.08 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications •High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) • High-speed switching: tf = 55 ns (typ.) 文件：165.08 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5703_06	文件：137.97 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications 文件：137.97 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
50
IC(Max)(A)：
4
hFE(Min)：
400
hFE(Max)：
1000
VCE(sat)(Max)(V)：
0.12
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
TSM
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 0.7

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