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2SC5624	文件：105.63 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 28 GHz typ. • High power gain and low noise figure ; PG = 18dB typ. , NF = 1.2dB typ. at f = 1.8GHz 文件：105.63 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC5624	文件：198.97 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 28 GHz typ. • High power gain and low noise figure; PG = 18 dB typ., NF = 1.2 dB typ. at f = 1.8 GHz 文件：198.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5624	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Small Signal Bip-TRSs for High Frequency Amplifier	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC5624VH-TL-E	文件：198.97 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 28 GHz typ. • High power gain and low noise figure; PG = 18 dB typ., NF = 1.2 dB typ. at f = 1.8 GHz 文件：198.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SC5624供应商更新时间2025-12-2 17:40:00