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2SC5624VH-TL-E	文件：198.97 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 28 GHz typ. • High power gain and low noise figure; PG = 18 dB typ., NF = 1.2 dB typ. at f = 1.8 GHz 文件：198.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5624	文件：198.97 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 28 GHz typ. • High power gain and low noise figure; PG = 18 dB typ., NF = 1.2 dB typ. at f = 1.8 GHz 文件：198.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5624	文件：105.63 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier Features • High gain bandwidth product fT = 28 GHz typ. • High power gain and low noise figure ; PG = 18dB typ. , NF = 1.2dB typ. at f = 1.8GHz 文件：105.63 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC5754-T2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT343	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5826	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	ROHM 罗姆上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	ROHM

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