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2SC5509-T2分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC5509-T2
厂商型号

2SC5509-T2

参数属性

2SC5509-T2 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

82.51 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 11:22:00

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2SC5509-T2规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR

FORMEDIUM OUTPUT POWER

LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD

FEATURES

• Ideal for medium output power amplification

• NF = 1.2 dB TYP., Ga= 12 dB TYP. @ VCE= 2 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum available power gain: MAG = 14 dB TYP. @ VCE= 2 V, IC= 50 mA, f = 2 GHz

• fT= 25 GHz technology adopted

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5509-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.3V

  • 频率 - 跃迁:

    15GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    190mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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