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2SC5509分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC5509
厂商型号

2SC5509

参数属性

2SC5509 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR
RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

1.32923 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
CEL
数据手册

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更新时间

2025-8-5 10:50:00

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2SC5509规格书详情

2SC5509属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC5509晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN SILICON RF TRANSISTOR

FOR MEDIUM OUTPUT POWER, LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

FEATURES

• Ideal for medium output power amplification

• NF = 1.2 dB TYP., Ga = 12 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum available power gain: MAG = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

• fT = 25 GHz technology adopted

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SC5509-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.3V

  • 频率 - 跃迁:

    15GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 2GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    190mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343

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