2SC5508分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5508 |
| 参数属性 | 2SC5508 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
229.94 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:22:00 |
| 人工找货 | 2SC5508价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5508规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR
FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES
• Ideal for low-noise, high-gain amplification applications
• NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• fT = 25 GHz technology adopted
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package
产品属性
- 产品编号：
2SC5508-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
- 频率 - 跃迁：
25GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 2GHz
- 增益：
17dB
- 功率 - 最大值：
115mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
SOT-343
- 描述：
RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-343 |
30000 |
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询价 | ||
NEC |
2016+ |
SOT-343 |
3500 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
80000 |
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NEC |
24+ |
SOT343 |
880000 |
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NEC |
24+ |
SOT343 |
20000 |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
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RENESAS |
23+ |
SOT343 |
5100 |
原装现货假一赔十 |
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TOSHIBA |
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SOT343 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT343 |
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