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2SC5508-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC5508-A
厂商型号

2SC5508-A

参数属性

2SC5508-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

封装外壳

SOT-343F

文件大小

229.94 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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2SC5508-A规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR

FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

FEATURES

• Ideal for low-noise, high-gain amplification applications

• NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

• fT = 25 GHz technology adopted

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5508-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.3V

  • 频率 - 跃迁:

    25GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 最大值:

    115mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

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