2SC5508-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC5508-A |
参数属性 | 2SC5508-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F |
功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
封装外壳 | SOT-343F |
文件大小 |
229.94 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 20:00:00 |
人工找货 | 2SC5508-A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5508-A规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR
FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES
• Ideal for low-noise, high-gain amplification applications
• NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• fT = 25 GHz technology adopted
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package
产品属性
- 产品编号:
2SC5508-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
3.3V
- 频率 - 跃迁:
25GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.1dB @ 2GHz
- 增益:
19dB
- 功率 - 最大值:
115mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 5mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 描述:
RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
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