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2SC5508-A	文件：229.94 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION NPNSILICONRFTRANSISTOR FORLOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealforlow-noise,high-gainamplificationapplications •NF=1.1dBTYP.,Ga=16dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumavailablepowergain:MAG=19	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5508-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC5508	文件：229.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTORFORLOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION NPNSILICONRFTRANSISTOR FORLOW-NOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M04) FEATURES •Idealforlow-noise,high-gainamplificationapplications •NF=1.1dBTYP.,Ga=16dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz •Maximumavailablepowergain:MAG=19	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5508	文件：106.78 Kbytes Page：16 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATIONFLAT-LEAD4-PINTHINSUPERMINI-MOLD NPNSILICONRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATIONFLAT-LEAD4-PINTHINSUPERMINI-MOLD FEATURES •Idealforlow-noise,high-gainamplificationapplications •NF=1.1dB,Ga=16dBTYP.@f=2GHz,VCE=2V,IC=5mA •Maximumavailablepowergain:MAG=19dBTYP.@f=2GHz,V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
2SC5508-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
频率 - 跃迁：
25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 2GHz
增益：
19dB
功率 - 最大值：
115mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

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