UHF to S Band Low-Noise Amplifier Applications

UHF to S Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz). : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). • High gain : |S21e|2=10dB typ (f=1.5GHz). • High cutoff frequency : fT=11GHz typ. • Ultrasmall, slim flat-lead package. (1.4mm×0.8mm×0.6mm) • Low vol

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SANYO

三洋

UHF to S-Band Low-Noise Amplifier Applications

UHF to S-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) • Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) : fT=3.5GHz typ : ⏐S21e⏐2=5.5dB typ (f=1.5GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz) •

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SANYO

三洋

Mini Buck Converter for RF Power Amplifiers

Features • Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) • Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) : fT=3.5GHz typ : ⏐S21e⏐2=5.5dB typ (f=1.5GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz) • High cut-off frequency : fT=8GHz typ • Ultrasm

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ONSEMI

安森美半导体

Mini Buck Converter for RF Power Amplifiers

Features • Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) • Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) : fT=3.5GHz typ : ⏐S21e⏐2=5.5dB typ (f=1.5GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz) • High cut-off frequency : fT=8GHz typ • Ultrasm

文件：478.1 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS ● Low Noise Figure : NF=1.4dB (f=2GHz) ● High Gain : Ga=14dB (f=2GHz)

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TOSHIBA

东芝

Silicon NPN Power Transistors

文件：154.45 Kbytes 页数：3 Pages

JMNIC

锦美电子

Silicon NPN Power Transistors

文件：245.39 Kbytes 页数：3 Pages

SAVANTIC

Silicon NPN Power Transistors

文件：154.45 Kbytes 页数：3 Pages

JMNIC

锦美电子

Silicon NPN Power Transistors

文件：154.45 Kbytes 页数：3 Pages

JMNIC

锦美电子

Silicon NPN triple diffusion planar type

文件：37.28 Kbytes 页数：2 Pages

Panasonic

松下