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2SC5192	文件：68.3 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：68.3 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5192	文件：222.65 Kbytes Page：12 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD 文件：222.65 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5192	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC5192R	文件：715.45 Kbytes Page：12 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD 文件：715.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5192-T1	文件：68.3 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：68.3 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5192-T1	文件：222.65 Kbytes Page：12 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD 文件：222.65 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5192-T2	文件：222.65 Kbytes Page：12 Pages	SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD 文件：222.65 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5192-T2	文件：68.3 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：68.3 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5192R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low-voltage drive, high-frequency transistor	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SC5192(R)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
9V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
4GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
9
htest：
4000000000
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC5192
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD

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更多2SC5192供应商更新时间2026-4-19 14:30:00

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