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2SC508	文件：135.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • High collector-base breakdown voltage :VCBO=180V(min) APPLICATIONS • For power switching and TV horizontal output applications. 文件：135.84 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC508	文件：134.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • High collector-base breakdown voltage :VCBO=180V(min) APPLICATIONS • For power switching and TV horizontal output applications. 文件：134.73 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC508	文件：136.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：136.36 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5080	文件：203.28 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT = 13.5 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：203.28 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5080	文件：48.57 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT= 13.5 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：48.57 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC5080ZD-TL-E	文件：203.28 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT = 13.5 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：203.28 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5081	文件：161.69 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT= 13.5 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：161.69 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5081	文件：25.2 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT= 13.5 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：25.2 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC5081ZD-TL-E	文件：161.69 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT= 13.5 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：161.69 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5084	文件：349.57 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：349.57 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC508
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
25MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD193,BDX22,BU406,BU407,BU408,BUY63,2N4240,2SD823,2SD1136,2SD1159,3DK205D,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
180
htest：
25000000
atest：
4
wtest：
20

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