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2SC508分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SC508

参数属性

2SC508 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

136.36 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

SAVANTIC

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数据手册

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更新时间

2026-1-20 15:43:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SC508

  • 别名:

    2SC508三极管、2SC508晶体管、2SC508晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    电视 (TV)_行输出 (HA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    25MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD193,BDX22,BU406,BU407,BU408,BUY63,2N4240,2SD823,2SD1136,2SD1159,3DK205D,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    180

  • htest:

    25000000

  • atest:

    4

  • wtest:

    20

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5085-O(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB @ 500MHz

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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