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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SC5008-T1-A | Package：SOT-523；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT523 | CEL | CEL | |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC5008 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitrid 文件：241.03 Kbytes 页数：12 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SC5008 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride 文件：61.27 Kbytes 页数：10 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
2SC5008-T1-A | SOT423 | RENESAS | ||
SOT423 | RENESAS |
产品属性
- 产品编号：
2SC5008-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB @ 2GHz
- 增益：
7.5dB
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT423 |
12488 |
RENESAS/瑞萨原装特价2SC5008-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
RENESAS |
SOT423 |
30000000 |
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NEC |
17PB |
SOT-523 |
1000 |
现货 |
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TOSHIBA/东芝 |
1922+ |
SOT-523 |
9600 |
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NEC |
24+ |
SOT-423 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT423 |
50000 |
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NEC |
24+ |
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NEC |
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SOT523 |
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California Eastern Labs |
2022+ |
原厂原包装 |
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NEC |
24+ |
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