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2SC4807	文件：46.8 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT = 4.4 GHz Typ • High output power 1 dB Power compression point Pcp = 24 dBm Typ at VCE = 5V , IC = 100 mA , f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：46.8 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC4807	文件：176.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT = 4.4 GHz Typ • High output power 1 dB Power compression point Pcp = 24 dBm Typ at VCE = 5V , IC = 100 mA , f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：176.15 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4807	文件：212.22 Kbytes Page：5 Pages	High Gain-Bandwidth Product DESCRIPTION • High Gain-Bandwidth Product fT= 4.4 GHz TYP. • High Output Power 1 dB Power compression point Pcp = 24 dBm TYP. @ VCE = 5V , IC = 100 mA , f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for VHF ~ UHF wide band amplifier applications. 文件：212.22 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4807	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Small Signal Bip-TRSs for High Frequency Amplifier	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC4807ERTR-E	文件：176.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High gain bandwidth product fT = 4.4 GHz Typ • High output power 1 dB Power compression point Pcp = 24 dBm Typ at VCE = 5V , IC = 100 mA , f = 900 MHz Application VHF / UHF wide band amplifier 文件：176.15 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SC4807
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_甚高频（VHF）_超高频/特高频
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
4.4GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
20
htest：
4400000000
atest：
0.2
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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