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2SC4793M	文件：131.68 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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2SC4793	文件：219.53 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES •Highcollectorvoltage˖VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1937 •Hightransitionfrequency:fT=100MHz(Typ.) •RoHSproduct APPLICATIONS •PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC4793	文件：598.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPowerTransistors Features •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) •Complementaryto2SA1837	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC4793	文件：249.01 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4793	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC4793	文件：247.69 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC4793	文件：1.08448 Mbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) •HighCurrent-GainBandwidthProduct •ComplementtoType2SA1837 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC4793	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min) •HighCurrent-GainBandwidthProduct •ComplementtoType2SA1837 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications. •Driverstageamplifierapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC4793	文件：504.58 Kbytes Page：3 Pages	20WattSiliconEpitaxialPlanarProcessNPNPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-220Fpackageoutline •Complementtotype2SA1837 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •RecommendedforDriverStageAmplifierApplications	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
2SC4793M
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans GP BJT NPN 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC4793M	TOSHIBA	24+		30000		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC4793NSEIKIF(J	Toshiba Semiconductor and Stor	25+	TO-220-3 整包	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	2SC4793-O		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市创盛芯科技有限公司	2SC4793功率三极管	TOSHIBA/东芝	24+	TO-220F	45000	原装现货假一赔十	询价
深圳庞田科技有限公司	2SC4793功率三极管	TOSHIBA/东芝	2023+	TO-220F	20000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市博中泰实业有限公司	2SC4793功率三极管	TOSHIBA/东芝	24+	TO-220F	60000		询价
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更多2SC4793M供应商更新时间2025-7-23 16:30:00

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