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2SC4853A-4-TL-E

文件：355.26 Kbytes

Page：8 Pages

RF Transistor Low-voltage, low-current operation

Features •Low-voltage,low-currentoperation:fT=5GHztyp (VCE=1V,IC=1mA):|S21e|2=7dBtyp(f=1GHz) :NF=2.6dBtyp(f=1GHz)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2SC4853A-4-TL-E

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC4853A-4-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz
增益：
7dB ~ 10.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
90mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 1mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
3-MCP
描述：
RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP

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更多2SC4853A-4-TL-E供应商更新时间2024-5-1 14:00:00

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