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2SC4793(F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 230V 1A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4793AF	文件：189.25 Kbytes Page：3 Pages	High Frequency NPN Power Transistor FEATURES • High transition frequency: fT = 100MHz (typ.) • Complementary to 2SA1837AF • TO-220F package which can be installed to the heat sink with one screw APPLICATIONS • Power amplifier • Driver stage amplifier 文件：189.25 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
2SC4793D	文件：907.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Features High fT, complementary pair with 2SA1837D. Applications Power amplifier and driver stage amplifier applications. 文件：907.6 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC4793FM	文件：131.68 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications 文件：131.68 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC4793(F,M)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220NIS
描述：
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC4793(F,M)	TOS	24+		14		询价
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更多2SC4793(F,M)供应商更新时间2025-11-18 16:30:00

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