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2SC4680	文件：35.16 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • Low Ron and high performance for RF switch. • Capable of high density mounting. Application VHF / UHF high frequency switching 文件：35.16 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC4681	文件：86.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • Excellent hFE linearity : hFE (1) = 200 to 600 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 140 (min), 200 (typ.) (VCE = 2 V, IC = 3 A) • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 3 A, IB = 60 mA) • Co 文件：86.87 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4682	文件：139.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • Excellent hFE linearity : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 1 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 500 (typ.) (VCE = 1 V, IC = 3 A) • Low saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 3 A, IB = 30 mA) 文件：139.64 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4683	文件：184.78 Kbytes Page：3 Pages	STROBE FLASH APPLICATIONS MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STROBE FLASH APPLICATIONS MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：184.78 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4684	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4684	文件：39.94 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features High DC current gain. Low collector saturation voltage. High power dissipation. 文件：39.94 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4684	文件：151.08 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) • High power d 文件：151.08 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4685	文件：159.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) • High c 文件：159.97 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4686	文件：207.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE (TV DYNAMIC FOCUS, HIGH VOLTAGE SWITCHING, AMPLIFIER APPLICATIONS) TV DYNAMIC FOCUS APPLICATIONS HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS HIGH VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS High Voltage Vceo = 1200V (Max.) 文件：207.89 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4686A	文件：207.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE (TV DYNAMIC FOCUS, HIGH VOLTAGE SWITCHING, AMPLIFIER APPLICATIONS) TV DYNAMIC FOCUS APPLICATIONS HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS HIGH VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS High Voltage Vceo = 1200V (Max.) 文件：207.89 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC4688
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HIFI_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245A,BD245B,BD245C,BD245D,BD245E,BD245F,2SC4385,2SC5099,2SD2064,
最大耗散功率：
55W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
80
htest：
30000000
atest：
6
wtest：
55

技术参数

VCBO/(V)：
80
VCEO/(V)：
80
IC/(A)：
6
PC/(W)：
55
hFE(min）：
55
hFE（max）：
160
VCE（sat）(V)：
2.0
VCE@IC/(A)：
5
VCE@IB/(A)：
0.5
Package：
TO-3PF

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