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2SC4003	文件：280.4 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=50mA ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4003	文件：299.53 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=60(Min)@IC=50mA ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4003	文件：124.74 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC4003	文件：373.85 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFE ●LowVCE(sat)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC4003	文件：960.43 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,adoptionofMBITprocessexcellenthFElinearity. Applications Highvoltagedriverapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC4003	文件：328.07 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighhFE •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Highswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4003	文件：46.74 Kbytes Page：2 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor Features ●Highbreakdownvoltage ●AdoptionofMBITprocess ●ExcellenthFElinearity	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4003	文件：55.22 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SC4003	文件：78.26 Kbytes Page：3 Pages	High-VoltageDriverApplications? High-VoltageDriverApplications Features ·Highbreakdownvoltage. ·AdoptionofMBITprocess. ·ExcellenthFElinearity.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
2SC4003D
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-252

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