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2SC3356-T1B	文件：189.37 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold * Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga= 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz * High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz 文件：189.37 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3356-T1B-A	文件：189.37 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold * Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga= 11 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz * High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 1 GHz 文件：189.37 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3356-T1B	文件：200.75 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：200.75 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3356-T1B-R24-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23	CEL	CEL
2SC3356-T1B-R25-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3	CEL	CEL

更多2SC3356-T供应商更新时间2025-12-25 15:01:00