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2SC3353	文件：244.51 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emiiter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 500V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max.)@ IC= 3A ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Designed for high speed switching applications. 文件：244.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3353	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Transistor - Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type	Panasonic 松下	Panasonic
2SC3355L	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SC3356	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司上传：深圳市洪兴微电子有限公司	KEC
2SC3356	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NEC 瑞萨上传：深圳广友电子有限公司	NEC

晶体管资料

型号：
2SC3353
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT11(A)F,2SC3750,2SC3795,2SC4518,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
800
htest：
999900
atest：
5
wtest：
40

详细参数

型号：
2SC3353
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor

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