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2SC3412

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 500V (Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for TV horizontal deflection output applications.

文件:212.39 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SC3421-Y

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2SC3585-T1B-A

SOT23

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上传:深圳市正纳电子有限公司

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更多2SC3412供应商 更新时间2025-12-12 16:30:00