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2SC3425

TRANSISTOR SILICON NPN DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)

Switching Regulator and High-Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications • Excellent switching times: tr = 1.0 μs (max) tf = 1.5 μs (max), (IC = 0.5 A) • High breakdown voltage: VCEO = 400 V

文件:220.64 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3425

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3425

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCEO = 400 V(Min) ·Complement to the PNP 2SA1924 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage and general purpose applications.

文件:324.01 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SC3425

Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

文件:177.34 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3425

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS

Toshiba

东芝

2SC3425_06

Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

文件:177.34 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

晶体管资料

  • 型号:

    2SC3425

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    500V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD410,2SC2752,2SD1350,2SD3051,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-23

  • vtest:

    500

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    10

详细参数

  • 型号:

    2SC3425

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 400V 0.8A 3-Pin TO-126IS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SC3425供应商 更新时间2025-12-24 10:50:00