2SC3326-B资料datasheet下载贸易商东芝-114ic电子网

首页 >2SC3326-B>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
2SC3326-B	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	For Muting and Switching Applications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC3326-B,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3326	文件：43.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SC3326	文件：177.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC3326	文件：512 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC3326	文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC3326	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC3326A	文件：228.04 Kbytes Page：5 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

详细参数

型号：
2SC3326-B
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
For Muting and Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	2SC3326-B	5990	SOT23	06+	0	新到现货价钱差不多就卖了	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC3326-B	KEXIN	1835+	SOT23	3000	公司原装现货,可来看货!	询价
深圳好佳好科技有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA	2106+	SOT23	12600	原装正品深圳优势库存	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA	16+	SOT-23	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA	ROHS全新原装	SOT-23	105000	东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销	询价
深圳市广弘电子有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA/东芝	20+	SOT-23	5500	代理库存,房间现货,有挂就是现货	询价
深圳市航宇科工半导体有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA/东芝	22+	SOT23	600000	航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!	询价
深圳市特瑞斯科技有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA	23+	SOT-23	693000	一级分销商	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA	2021+	SOT23	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SC3326-B	TOSHIBA/东芝		SOT23	7906200		询价

更多2SC3326-B供应商更新时间2024-4-20 9:00:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号