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2SC3326-B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SC3326-B
厂商型号

2SC3326-B

参数属性

2SC3326-B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 0.3A TO236

功能描述

For Muting and Switching Applications

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

228.04 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 23:00:00

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2SC3326-B规格书详情

For Muting and Switching Applications

• High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min)

• High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA)

• Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA)

• High DC current gain: hFE= 200~1200

• Small package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC3326-B,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 3mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    350 @ 4mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 0.3A TO236

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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