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2SC3021	文件：115.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC3021 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for UHF power amplifier applications. APPLICATION For output stage of 5W power amplifiers and drive stage of higher power amplifiers in UHF band. 文件：115.04 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC3022	文件：147.02 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC3022 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for UHF high power amplifier applications. APPLICATION For output stage of 15 W power amplifiers in UHF band. 文件：147.02 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3025	文件：128.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·High voltage power switching character display horizontal deflection output 文件：128.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3025	文件：37.78 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT 文件：37.78 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC3025	文件：115.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·High voltage power switching character display horizontal deflection output 文件：115.47 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3026	文件：115.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • High voltage power switching character display horizontal deflection output 文件：115.82 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3026	文件：37.78 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT 文件：37.78 Kbytes 页数：1 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC3026	文件：128.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage APPLICATIONS • High voltage power switching character display horizontal deflection output 文件：128.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3020	文件：128.699 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) 文件：128.699 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC3022	文件：168 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) 文件：168 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

晶体管资料

型号：
2SC3021
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
520MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC1967,2SC2284,2SC3108,
最大耗散功率：
8W
放大倍数：
图片代号：
G-253
vtest：
35
htest：
520000000
atest：
2
wtest：
8

详细参数

型号：
2SC302
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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