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2SC2859	文件：161.05 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Power dissipation： PC=150mW. APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：161.05 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC2859	文件：458.71 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Excellent hFE Linearity ● Switching Applications 文件：458.71 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC2859	文件：36.72 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Excellent hFE linearity : hFE(2) = 25 (min) (VCE=6V,IC=400mA). 文件：36.72 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC2859	文件：108.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES • Excellent hFE Linearity • Switching Applications 文件：108.25 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC2859	文件：1.68705 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Excellent hFE Linearity Switching Applications 文件：1.68705 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC2853	文件：169.97 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：169.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2853ETZ-E	文件：169.97 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：169.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2855	文件：175.03 Kbytes Page：12 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：175.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2856	文件：175.03 Kbytes Page：12 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：175.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC2859	文件：186.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：186.28 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

晶体管资料

型号：
2SC2855
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
310MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC1775,2SC1775A,2SC1845,2SC2088,2SC2089,2SC2240,2SC2389,2SC2459,3DG180K,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
90
htest：
310000000
atest：
0.1
wtest：
0.4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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