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2SC2905	文件：141.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2905isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersapplicationsinUHFband. APPLICATION Foroutputstageof35-40WpoweramplifiersinUHFband.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机
2SC2905	文件：18.54 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2SC2905isdesignedforhighpoweramplifierapplicationsinUHFband. FEATURES: •EmitterBallastedconstruction. •PG=4.8dBat45W/520MHz •Omnigold™MetalizationSystem •CommonEmitter	ASI Advanced Semiconductor, Inc

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2SC2905

文件：141.89 Kbytes

Page：3 Pages

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC2905isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistorspecificallydesignedforhighpoweramplifiersapplicationsinUHFband. APPLICATION Foroutputstageof35-40WpoweramplifiersinUHFband.

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

2SC2905

文件：18.54 Kbytes

Page：1 Pages

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASI2SC2905isdesignedforhighpoweramplifierapplicationsinUHFband. FEATURES: •EmitterBallastedconstruction. •PG=4.8dBat45W/520MHz •Omnigold™MetalizationSystem •CommonEmitter

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

晶体管资料

型号：
2SC2905
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
520MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC2915,2SC3102,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
G-256
vtest：
35
htest：
520000000
atest：
15
wtest：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SC2905	MITSUBI	2019+	SMD	6992	原厂渠道可含税出货	询价
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更多2SC2905供应商更新时间2024-4-26 10:20:00

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