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2SC2901	文件：159.49 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC2901 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES ● High Frequency Current Gain. ● High Speed Switching. ● Small Output Capacitance. 文件：159.49 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC2902	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switching regulators ·Motor controls 文件：127.87 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2902	文件：107.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switching regulators ·Motor controls 文件：107.91 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2904	文件：33.99 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC2904 is a silicon epitaxial plana type transistor designed for high power amplifiers in HF band. FEATURES: • Internal Input Matching Network • PG = 11.5 dB at 1000 W/30 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：33.99 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
2SC2904	文件：132.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2904 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for high power amplifiers in HF band. APPLICATIONS Output stage of transmitter in HF band SSB mobile radio sets. 文件：132.68 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2905	文件：141.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2905 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for high power amplifiers applications in UHF band. APPLICATION For output stage of 35 - 40W power amplifiers in UHF band. 文件：141.89 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2905	文件：18.54 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC2905 is designed for high power amplifier applications in UHF band. FEATURES: • Emitter Ballasted construction. • PG = 4.8 dB at 45 W/520 MHz • Omnigold™ Metalization System • Common Emitter 文件：18.54 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
2SC2908	文件：120.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(5.0A,100V,50W) 文件：120.97 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SC2908	文件：203.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For use in power amplifier and switching circuits applications 文件：203.42 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2908	文件：223.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For use in power amplifier and switching circuits applications 文件：223.69 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC2905
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
520MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC2915,2SC3102,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
G-256
vtest：
35
htest：
520000000
atest：
15
wtest：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC290供应商更新时间2026-3-10 16:04:00

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