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2SC2656	文件：78.24 Kbytes Page：1 Pages	SUPER HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS [Collmer] Super high speed switching transistors ● Suitable for 100kHz class switching regulators High speed switching transistors for ringing choke coverter ● The DC current gain is high. (min. 20) ● High speed switching performance Large SOA switching transistors ● An especially wide SOA 文件：78.24 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2656	文件：81.35 Kbytes Page：2 Pages	High speed switching transistor [COLLMER SEMICONDUCTOR] High speed switching transistor 文件：81.35 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2656	文件：245.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Switching regulators • DC-DC converter • Solid state relay • General purpose power amplifiers 文件：245.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2656	文件：142.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Switching regulators • DC-DC converter • Solid state relay • General purpose power amplifiers 文件：142.2 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2657	文件：214.04 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 500V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high speed power switching applications. 文件：214.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2658	文件：125.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 500V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high speed power switching applications. 文件：125.49 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2658	文件：214.06 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 500V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high speed power switching applications. 文件：214.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2659	文件：127.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 500V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high speed power switching applications. 文件：127.65 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2659	文件：213.06 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 500V (Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high speed power switching applications. 文件：213.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2653H	文件：84.66 Kbytes Page：2 Pages	Large Pc 文件：84.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SC2655
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD517,BD525,2SC3328,2SC3669,2SD1207,2SD2177,3DK10C,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-12
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0.9

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.9
IC(A)：
2
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
240
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)@IC(A)：
1
VCE(sat)@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92MOD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	2SC2655	蓝箭	TO92LM	100000	2012		询价
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更多2SC265供应商更新时间2026-1-17 9:31:00

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