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2SC2216M	文件：804.18 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Description SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highgain,goodhFElinearity. Applications TVfinalpictureIFamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2216M	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管;	BlueRocketFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	BlueRocket
2SC2216	文件：413.68 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●AmplifierDissipationNPNSilicon	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2216	文件：123.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:50mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2216	文件：274.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2216	文件：957.32 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Description SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highgain,goodhFElinearity. Features TVfinalpictureIFamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2216	文件：203.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof300mWattsofPowerDissipation. •Collector-current:ICM=50mA •Collector-baseVoltage:V(BR)CBO=50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2216	文件：257.19 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •AmplifierdissipationNPNSilicon	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2216	文件：176.45 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(TVFINALPICTUREIFAMPLIFIERAPPLICATIONS) TVFinalPictureIFAmplifierApplications •Highgain:Gpe=33dB(typ.)(f=45MHz) •GoodlinearityofhFE.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

技术参数

PC：
200 (mW)
IC：
50 (mA)
VCBO：
50 (V)
VCEO：
45 (V)
VEBO：
4 (V)
VCE(sat)：
0.2 (V) 15 IC(mA) 1.5 IB(mA)
hFE：
1K2A VCE (V) 12.5 IC(mA) 40 MIN. 140 MAX.
fT：
300 (MHz)
封装：
SOT-23 Package

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更多2SC2216M供应商更新时间2025-7-27 13:58:00

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