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2SC2216	文件：176.45 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS) TVFinalPictureIFAmplifierApplications •Highgain:Gpe=33dB(typ.)(f=45MHz) •GoodlinearityofhFE.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2216	文件：257.19 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •AmplifierdissipationNPNSilicon	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2216	文件：203.09 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features •Capableof300mWattsofPowerDissipation. •Collector-current:ICM=50mA •Collector-baseVoltage:V(BR)CBO=50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/Rohs	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2216	文件：957.32 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Description SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highgain,goodhFElinearity. Features TVfinalpictureIFamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2216	文件：123.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:50mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2216	文件：413.68 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●AmplifierDissipationNPNSilicon	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2216	文件：274.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2216M	文件：804.18 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Description SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highgain,goodhFElinearity. Applications TVfinalpictureIFamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2216_13	文件：274.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SC2216_15	文件：257.19 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

晶体管资料

型号：
2SC2216
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_中频放大（ZF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
>300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF199,BF244,BF311,BF373,BF523,BF959,3DG112C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-21
vtest：
0
htest：
300000100
atest：
0
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC2216
制造商：
Toshiba America Electronic Components

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC2216供应商更新时间2025-5-22 16:36:00

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