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2SC2168	文件：90.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：90.9 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2168	文件：89.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：89.33 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2168	文件：245.41 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：245.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2168	文件：128.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：128.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2166	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF Power Transistor	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2166	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF Power Transistor	HITACHI 日立	HITACHI
2SC2166	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 75V 4A 3-Pin(3+Tab) T-30	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2SC2166
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
27MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC1944,2SC1969,2SC2043,2SC2098,2SC2119,3DA22B,
最大耗散功率：
6W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
75
htest：
27000000
atest：
4
wtest：
6.0001

技术参数

Output Power：
7.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
35@0.1A@10V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
75V
Maximum Collector Base Voltage：
75V
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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