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2SC2166	文件：187.59 Kbytes Page：2 Pages	High Reliability DESCRIPTION • High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V • High Reliability APPLICATIONS • Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：187.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2166	文件：43.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：43.12 Kbytes 页数：2 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC2166	文件：130.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)? DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：130.19 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2166	文件：92.74 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Transistor Final RF Power Output Silicon NPN Power Transistor Final RF Power Output The 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 Watt Output Power Class AB Amplifiers in HF Band 文件：92.74 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2166	文件：271.46 Kbytes Page：3 Pages	3 to 4 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications. DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：271.46 Kbytes 页数：3 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
2SC2166	文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes 页数：2 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC2166_15	文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes 页数：2 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC2166_2014	文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes 页数：2 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC2167	文件：126.76 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：126.76 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2167	文件：56.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：56.67 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC2166
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
27MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC1944,2SC1969,2SC2043,2SC2098,2SC2119,3DA22B,
最大耗散功率：
6W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
75
htest：
27000000
atest：
4
wtest：
6.0001

技术参数

Output Power：
7.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
35@0.1A@10V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
75V
Maximum Collector Base Voltage：
75V
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	2SC2166	MITSUBIS	23+	TO-220	650	专营高频管模块,全新原装!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	2SC2166	3000	24+		30000		询价
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深圳市联世界科技有限公司	2SC2166	三菱	24+/25+	TO220	2995	原装正品现货库存价优	询价
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更多2SC216供应商更新时间2026-1-17 10:31:00

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