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2SC2130	文件：1.66659 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2SC2130；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain 文件：1.66659 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC2130-TA	文件：1.66659 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2SC2130；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain 文件：1.66659 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC2131	文件：143.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC2131 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in UHF band mobile radio applications. 文件：143.64 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2131	文件：92.06 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC2131 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in UHF band mobile radio applications. 文件：92.06 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2133	文件：150.77 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band 24 to 28 volts operation applications) DESCRIPTION 2SC2133 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in UHF band 24 to 28 volts operation applications. 文件：150.77 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2134	文件：150.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2134 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF band 24 to 28 volts operation applications. APPLICATION 30 to 30 watts output linear power amplifiers such as TV transposer amplifiers in VHF band. 文件：150.64 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2130	文件：533.15 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：533.15 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC2137	文件：214.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：214.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2137	文件：129.919 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：129.919 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2137	文件：116.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：116.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

技术参数

Output Power：
1.6(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
10@0.1A@10V
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
0.6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
18V
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	2SC2131	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2SC2131	MITSUBISHI/三菱	24+	TO-39	115	现货供应	询价
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更多2SC213供应商更新时间2026-3-10 10:31:00

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