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2SC2134	文件：150.64 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC2134 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF band 24 to 28 volts operation applications. APPLICATION 30 to 30 watts output linear power amplifiers such as TV transposer amplifiers in VHF band. 文件：150.64 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2134	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE RF POWER TRANSISTOR	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC2334	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	NEC国产上传：标准国际(香港)有限公司	NEC国产
2SC2334	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT252	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC2383-Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	TOSHIBA 东芝上传：深圳市昌和盛利电子有限公司	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC2134
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
220MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
MRF327,3DA7B,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
G-243
vtest：
55
htest：
220000000
atest：
10
wtest：
70

详细参数

型号：
2SC2134
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

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