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2SC2204	文件：93.99 Kbytes Page：1 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES : High Voltage: VCEO 400V (Min.)(2SC2204) VCEO=300V (Min.) (2SC2220) VCBO-800V (Min.)(2SC2204) VCBO=500V (Min.)(2SC2220) High Speed Switching : tf=0.7us (Typ.) 文件：93.99 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2206	文件：53.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification Complementary to 2SA1254 ■ Features • Optimum for RF amplification of FM/AM radios • High transition frequency fT • M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circ 文件：53.53 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC2209	文件：71.94 Kbytes Page：4 Pages	For low-frequency power amplification Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification Complementary to 2SA0963 ■ Features • Large collector power dissipation PC • Output of 5 W can be obtained by a complementary pair with 2SA0963 文件：71.94 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC2209	文件：249.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) • High Collector Power Dissipation • Complement to Type 2SA963 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplification. 文件：249.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2209	文件：128.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) • High Collector Power Dissipation • Complement to Type 2SA963 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplification. 文件：128.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2209	文件：129.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SA963 • High collector power dissipation APPLICATIONS • For low-frequency power amplification 文件：129.57 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2200	文件：144.61 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE 文件：144.61 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2209	文件：131.21 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：131.21 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2200	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 400V 7A 2-Pin(2+Tab) TO-66	NJS	NJS
2SC2206	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal device - Small-signal transistor - High-Frequency Amplifiers and Others	Panasonic 松下	Panasonic

晶体管资料

型号：
2SC2209
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD137,BD228,BD375,2SD1177,2SD1178,3DA10B,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
50
htest：
150000000
atest：
1.5
wtest：
10

详细参数

型号：
2SC220
制造商：
SAVANTIC
制造商全称：
Savantic, Inc.
功能描述：
Silicon NPN Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC220供应商更新时间2026-3-10 16:01:00

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