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2SC1953	文件：78.43 Kbytes Page：2 Pages	SI PNP EPITAXIAL PLANAR Silicon PNP epitaxial planar type For audio system/pli drive Complementary to 2SC1953 ■Features •A complementary pair with 2SC1953, is optimum for the pre driver stage of a 60 W to 100 W output amplifier •TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the he 文件：78.43 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC1953	文件：134.57 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA914 ·High VCEO APPLICATIONS ·For low-frequency power pre-amplification 文件：134.57 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1953	文件：118.27 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA914 ·High VCEO APPLICATIONS ·For low-frequency power pre-amplification 文件：118.27 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1955	文件：56.57 Kbytes Page：2 Pages	VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES : Output Power: Po-2.8W (Min.) (f=175MHz, VCC-13.5V, P₁-0.15W) 100 Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles with 30:1 VSWR Vcc-13.5V, Po-4W, f-175MHz 文件：56.57 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1959	文件：138.38 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications * Excellent hFE linearity : hFE (2)= 25 (min): VCE= 6 V, IC= 400 mA * 1 watt amplifier applications. * Complementary to 2SA562TM. 文件：138.38 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1959	文件：664.69 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Excellent hFE Linearity ● High Transition Frequency 文件：664.69 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1959	文件：214.78 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency low-power amplifier applications. 文件：214.78 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SC1959	文件：84.14 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Excellent hFE Linearity ● High Transition Frequency 文件：84.14 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1959	文件：50.59 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2SC1959 is designed for audio frequency Low power amplifier applications. Features • Excellent hFE Linearity. 文件：50.59 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2SC1959	文件：1.82637 Mbytes Page：5 Pages	丝印：C1959；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Excellent hFE Linearlity 文件：1.82637 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.5
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.25
VCE(sat)@IC(A)：
0.1
VCE(sat)@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC1959	NPNECB	24+	TO-92	50000		询价
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更多2SC195供应商更新时间2026-1-17 10:50:00

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