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2SC1810	文件：293.32 Kbytes Page：3 Pages	SPECIFICATION TRANSISTORS,DIODES Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：293.32 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC1815	文件：169.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Transistor DESCRIPTION • High Voltage and High Current Vceo=50V(Min.), Ic=150mA(Max) • Excellent hFE Linearity • Low Noise • Complement to Type 2SA1015(O,Y,GR class) APPLICATIONS • Audio frequency general purpose amplifier Applications • Driver stage amplifier applications. 文件：169.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1815	文件：172.65 Kbytes Page：4 Pages	丝印：HF；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High voltage and high current VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ● Excellent hFE linearity : hFE(2)=100 (Typ) at VCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ● Low noise. ● Complementary to 2SA1015. APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier applicati 文件：172.65 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC1815	文件：215.02 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. 文件：215.02 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SC1815	文件：192.46 Kbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Power dissipation 文件：192.46 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1815	文件：142.23 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor Features ● Power dissipation 文件：142.23 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC1815	文件：168.25 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：168.25 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SC1815	文件：188.02 Kbytes Page：2 Pages	NPN Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES • Power Dissipation PCM: 0.4 W ( Ta = 25 °C ) • Collector Current ICM: 0.15 A • Collector-Base Voltage V(BR)CBO: 60 V 文件：188.02 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1815	文件：49.3 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2SC1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. 文件：49.3 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
2SC1815	文件：1.07537 Mbytes Page：2 Pages	丝印：HF；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High voltage and high current VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ● Excellent hFE linearity : hFE(2)=100 (Typ) at VCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ● Low noise. ● Complementary to 2SA1015. APPLICATIONS ● Audio frequency g 文件：1.07537 Mbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

晶体管资料

型号：
2SC1815
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC182,BC184,BC190,BC384,BC414,BC546,DG458,DG1815,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
60
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.4

技术参数

PCM(W)：
0.4
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
70
hFEMax：
700
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.25
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC181供应商更新时间2026-3-10 16:00:00

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