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2SC1623	文件：1.46926 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC1623	文件：577.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors Features ●HighDCCurrentGain: hFE=200TYP. VCE=6.0V,IC=1.0mA ●HighVoltage: VCEO=50V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC1623	文件：474.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2SC1623	文件：1.37065 Mbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
2SC1623	文件：2.34324 Mbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC1623	文件：369.83 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2SC1623	文件：557.06 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
2SC1623A	文件：301.03 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •HighDCCurrentGain: hFE=200TYP.(VCE=6.0V,IC=1.0mA) •HighVoltage:VCEO=50V SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC1623F	文件：152.4 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor DESCRIPTION The2SC1623FisdesignedforusedriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC1623K	文件：284.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor FEATURE •HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ),VCE=6V,IC=1mA. •HighVoltage:VCEO=50V.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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