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2SC1008	文件：134.31 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.8 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：134.31 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC1008-G	文件：472.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • General Purpose Switching and Amplification • Capable of 0.8Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0. 文件：472.29 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SC1008-O	文件：472.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • General Purpose Switching and Amplification • Capable of 0.8Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0. 文件：472.29 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SC1008-R	文件：472.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • General Purpose Switching and Amplification • Capable of 0.8Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0. 文件：472.29 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SC1008-Y	文件：472.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • General Purpose Switching and Amplification • Capable of 0.8Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0. 文件：472.29 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SC1009	文件：325.03 Kbytes Page：4 Pages	FM/AM RF AMPLIFIER, MIXER,OSCILLATOR,CONVERTER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High Gain Bandwidth Product: fT = 250 MHz TYP. ● Low Output Capacitance: Cob = 1.8 pF TYP. ● Low Noise Figure: NF = 2.5 dB TYP. 文件：325.03 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1009A	文件：325.03 Kbytes Page：4 Pages	FM/AM RF AMPLIFIER, MIXER,OSCILLATOR,CONVERTER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High Gain Bandwidth Product: fT = 250 MHz TYP. ● Low Output Capacitance: Cob = 1.8 pF TYP. ● Low Noise Figure: NF = 2.5 dB TYP. 文件：325.03 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1009A	文件：876.07 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Low Cob,high fT. Applications FM/AM,RF amplifier, mixer, oscillator. 文件：876.07 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1000	文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers 文件：84.74 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SC1001	文件：58.13 Kbytes Page：2 Pages	UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. 文件：58.13 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC1009
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW31,BCW32,BCW33,BCW70,BCW71,BFS18,BFS19,3DG110F,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
250000000
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
30
IC @25 °C (A)：
0.05
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
60-180
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.25
Cob (Typical) (pF)：
1.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC100供应商更新时间2025-12-21 14:30:00

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