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2SB791	文件：102.2 Kbytes Page：2 Pages	Low Saturation Voltage DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= -4A • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2SD970 APPLICATIONS • Designed for medium speed and power switching applications 文件：102.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB791	文件：37.12 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SD970(K) 文件：37.12 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB791	文件：151.15 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Epitaxial 文件：151.15 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB791	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Switching/Bipolar	Renesas 瑞萨	Renesas
2SB791	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SB791K	文件：37.12 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SD970(K) 文件：37.12 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB791(K)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP Darlington Transistor	HITACHI 日立	HITACHI

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更多2SB791供应商更新时间2025-12-10 15:10:00