2SB1386L-R-AB3-B-R资料datasheet下载供应商报价-114ic电子网

首页 >2SB1386L-R>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SB1386L-R-AB3-B-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386L-R-AB3-C-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386L-R-AB3-E-R	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A) 文件：200.91 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1386-P	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Low Collector Saturation Voltage • Execllent current-to-gain characteristics • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon 文件：376.17 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1386-P	文件：430.6 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：430.6 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1386-P	文件：1.51198 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.51198 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

更多2SB1386L-R供应商更新时间2025-12-23 16:30:00